DRAM LONG · 4h

근거

1. ★결론 LONG: 81→48.63 대량 투매 후 시리즈 최대 거래량(약 135M) 셀링클라이맥스 봉이 저점 대비 4포인트 회복 마감 + 1h RSI 27→36·MACD히스토 음→양 전환의 강세 다이버전스 = 반전 confluence가 하위TF에서 우세.
2. 구조/기술(얇은 히스토리 주의): 일봉 EMA200 null·상위TF 추세는 약세라 저신뢰로 취급. 다만 4h ATR~3.9, 1h가 48.63 스프링 후 51~55 재장악 중. 상위TF 약세는 인정하되 클라이맥스 반전 신호에 가중.
3. ★매크로: 7/16 TSMC 캡엑스 쇼크로 반도체 셀오프가 이번 투매를 촉발했으나 대량 클라이맥스로 상당 부분 소화된 것으로 판단. 7/22 SK하이닉스 Q2 실적이 메모리 섹터 바이너리 게이트 — 3일 앞이라 이벤트 전 포지션 축소·손절 준수로 관리.
4. 플랜: 진입 50.0~51.2 지정가(중앙 50.6), 손절 47.9(클라이맥스 저점 하단), T1 57.5(4h EMA20/57.79 공급), T2 61.7(4h EMA50/61.66 공급). RR=(57.5−50.6)/(50.6−47.9)=2.56.

무효화 조건

47.9 손절(48.63 셀링클라이맥스 저점 하단). 종가 기준 48.63 하향 이탈 시 스프링 실패로 롱 무효 → 매크로 정렬 숏(46 및 그 이하 타깃)으로 재평가. 7/22 SK하이닉스 Q2 실적이 바이너리 게이트: 메모리 섹터 부정적 리드스루 시 반등 되돌려 손절 가능, 실적 전 포지션 축소로 이벤트 리스크 관리. FOMC 7/28~29도 변동성 변수.

맥락

DRAM은 나스닥 상장 메모리/반도체 종목으로 히스토리가 얇아 일봉 EMA200이 null·상위TF 구조(엘리엇/와이코프 국면)는 저신뢰로 본다. 현재가 52.72. 구조: 약 81에서 48.63까지 대량 투매 후 반등해 52.72 마감했고, 마지막 일봉은 시가 49.83·저가 48.64·종가 52.72로 저점 대비 4포인트 회복한 초대량(약 135M, 시리즈 최대) 봉 — 전형적 셀링클라이맥스/스프링 신호다. 1시간봉 RSI가 27~28 극과매도에서 36으로 올라오며 MACD히스토그램이 음→양(+0.18)으로 전환, 강세 다이버전스가 형성 중. 방향(생존 관점): 상위TF 추세는 약세지만 투매가 이미 반도체 셀오프를 상당 부분 반영했고 클라이맥스 대량+과매도 반등이라는 신뢰 높은 하위TF 반전 신호가 우세 → 플러시 저점 아래로 손절을 두는 저위험 롱이 RR상 더 깨끗하다. 진입 논리: 시장가(52.72)는 RR 미달이므로 플러시 베이스/1h BB하단(50.0~51.2) 되돌림 지정가 매수. 무효 레벨: 48.63 클라이맥스 저점(손절 47.9) 이탈 시 반전 무효.